Photon Stochastics(광자 확률성) 정의와 반도체 미세 패턴에 끼치는 영향

Photon Stochastics(광자 확률성)은 포토리소그래피와 같은 광학 공정에서 발생하는 광자 수의 확률적 변동을 의미합니다. 이는 광자(빛 입자)가 물질과 상호작용할 때 발생하는 본질적인 물리적 특성으로, 미세 공정이 진행될수록 그 영향을 더욱 크게 받습니다. 1. Photon Stochastics의 기본 개념 1. 광자의 입자성 빛은 입자와 파동의 이중성을 가지며, 광자의 입자적 특성은 포토리소그래피 공정에서 중요한 역할을 합니다. 특히, EUV(Extreme Ultraviolet) … Read more

K1 Factor (K1 상수)의 정의와 계산 방법

$K1$ Factor, 또는 K1 상수는 반도체 리소그래피 공정에서 해상도(Resolution)를 결정하는 중요한 상수입니다. 이 상수는 시스템의 설계와 패턴 구현의 복잡성에 영향을 미치며, 리소그래피 기술의 성능을 평가하는 데 필수적인 역할을 합니다. $K1$ Factor 정의 K1 Factor는 다음의 리소그래피 해상도 공식에서 도출됩니다. $$k_1 \frac{\lambda}{NA}$$ $K1$ 상수는 단순히 광학적 변수로만 결정되지 않고, 공정 조건, 설계 규칙, 그리고 패턴 복잡성 … Read more

13.5nm EUV 파장대를 사용하는 이유.(Feat. 반도체산업)

EUV(Extreme Ultraviolet) 리소그래피는 13.5nm 파장대를 사용하여 기존 DUV(Deep Ultraviolet) 기술로는 한계에 도달한 반도체 미세 공정을 가능하게 합니다. EUV의 주요 기술 요소를 특히 왜 13.5nm 파장을 사용하게 되었는지와 특징들을 살펴보겠습니다. 1. Resist 흡수 13.5nm의 짧은 파장은 기존 DUV(193nm)와는 다른 감광액(Resist)을 필요로 합니다. EUV 공정에서 Resist는 빛을 효율적으로 흡수해야만 정확한 패턴을 형성할 수 있습니다. 2. 높은 해상도(Resolution) … Read more